<rp id="pafsa"><tbody id="pafsa"><sup id="pafsa"></sup></tbody></rp>
  • <b id="pafsa"></b>
  • <video id="pafsa"></video>
      <video id="pafsa"><mark id="pafsa"></mark></video>

        <rp id="pafsa"></rp>
              <source id="pafsa"></source>
                <u id="pafsa"></u>
                <tt id="pafsa"></tt>
                  文章正文
                  專注于電器元器件,富士通即將亮相IOTE 2019蘇州物聯網展

                  發布時間:2018-12-07

                    2019年3月13-15日,IOTE 2019第十一屆國際物聯網展將在蘇州國際博覽中心拉開帷幕,屆時物聯網產業鏈各環節企業將帶來精品展示,與行業同仁共襄行業盛會。與您攜手,創意未來——富士通電子元器件(上海)有限公司將蒞臨此次盛會,并為大家帶來其最新的成果展示。

                    富士通電子元器件(上海)有限公司

                    蘇州國際博覽中心

                    2019年3月13-15日

                    展位號:B146

                  專注于電器元器件,富士通即將亮相IOTE 2019蘇州物聯網展

                    關于富士通

                    富士通電子元器件(上海)有限公司是富士通在中國的半導體業務總部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大連等地均設有分公司,負責統籌富士通在中國半導體的銷售業務。

                    富士通電子元器件(上海)有限公司的主要銷售產品包括Custom SoCs(ASICs)、代工服務、專用標準產品(ASSPs) 、鐵電隨機存儲器繼電器、GaN (氮化鎵)、MCU和電源功率器件,它們是以獨立產品及配套解決方案的形式提供給客戶,并廣泛應用于高性能光通信網絡設備、手持移動終端、影像設備、汽車、工業控制、家電、穿戴式設備、醫療電子、電力電表、安防等領域。

                  專注于電器元器件,富士通即將亮相IOTE 2019蘇州物聯網展

                    公司產品推介

                    一、FRAM

                  專注于電器元器件,富士通即將亮相IOTE 2019蘇州物聯網展

                    FRAM(鐵電存儲器)具有像E2PROM一樣的非易失性的優勢 ,在沒有電源的情況下可以保存數據,用于數據存儲。FRAM有兩個產品系列,串行接口(I2C,SPI)和并行接口產品。采用串行I/F的FRAM可以用E2PROM或串行閃存來代替,而采用并行I/F的產品可以用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)來代替。富士通半導體集團控制著FRAM的整個生產程序;在日本的芯片開發和量產及組裝程序。富士通公司保證了FRAM產品的高質量和穩定供應。自從1999年開始,FRAM產品已經連續供應12年以上,并且正在為許多客戶提供所需的高可靠性。FRAM的4Kb至4Mb產品現已投入量產。富士通正在為客戶評估提供工程研發樣品或生產樣品。

                    二、FRAM RFID

                    利用FRAM的低功耗,高速寫入,放射線耐性等特點,富士通研發出獨具特色的FRAM RFID芯片,面向FA,生化,醫療放射線殺菌,嵌入式電子設備等領域提供創新的應用解決方案。針對物聯網應用的無線無電池的市場需求,最新推出可無線供電的嵌入式創新RFID芯片,并將應用在無源電子紙,鍵盤,遙控器,傳感器等各種創新產品上。

                    適用于RFID標記的富士通LSI的主要特性

                    · 高速寫入性能:通過嵌入式FRAM的高性能增強了寫入操作的吞吐量。

                    · 穩定的通信距離:在低功耗模式下寫入,在寫入和讀取操作上都實現了相同的通信距離。相比之下,E2PROM的標記在寫入操作上消耗了更大量的功率,讓通信距離變得更短。

                    · 高密度存儲器:高速寫入特性使其在標記上成為大容量存儲器。但是標記嵌入式E2PROM的速度還不夠快,不足以采用大容量存儲器。

                    · 耐久力長:保證了最高1百萬兆次的讀/寫操作,這一特性實現了標識的長期應用或復用。

                    · 抗輻射性強:即使經過伽馬射線的照射或干擾,還是能保持數據。同時,嵌入標記的E2PROM從理論上講,抗輻射能力較弱。

                  專注于電器元器件,富士通即將亮相IOTE 2019蘇州物聯網展

                    物聯網參展觀展必選物聯傳媒IOTE 2019!創自2009年,七萬平方米,全球第一展,引領風向標!IOTE 2019國際物聯網博覽會是物聯網產業鏈又一次全面完整的展示,涵蓋物聯網感知層——MEMS、RFID、智能卡、傳感器、條碼、生物識別、視頻識別,網絡傳輸層——NB-IoT、LoRa、2G/3G/4G/5G、eSIM、ZigBee、Bluetooth、GPRS、WIFI、UWB、Z-wave,運算與平臺層——云計算、云平臺、大數據與數據安全、人工智能,以及應用層——實時精準定位、智慧零售、無人售貨、工業4.0、智慧物流、智慧城市、智能家居。

                  粵ICP備05006090號 版權所有?IOTE 物聯網展]深圳市物聯傳媒有限公司
                  首頁參展商觀眾關于IOTE

                  微信掃碼
                  注冊展會VIP觀眾

                  服務熱線

                  18676385933

                  在線咨詢

                  回到頂部

                  <rp id="pafsa"><tbody id="pafsa"><sup id="pafsa"></sup></tbody></rp>
                1. <b id="pafsa"></b>
                2. <video id="pafsa"></video>
                    <video id="pafsa"><mark id="pafsa"></mark></video>

                      <rp id="pafsa"></rp>
                            <source id="pafsa"></source>
                              <u id="pafsa"></u>
                              <tt id="pafsa"></tt>
                                天堂社区